《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志論文投稿要求:
Ⅰ、引文標(biāo)注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式統(tǒng)一編碼。文獻(xiàn)征引請使用參考文獻(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)格式。
Ⅱ、內(nèi)容摘要為文章主要觀點之提煉,字?jǐn)?shù)一般控制在200——300字為宜;關(guān)鍵詞一般為3至5個(提供英文摘要及關(guān)鍵詞更佳)。
Ⅲ、篇名:篇名應(yīng)簡明、具體、確切,能概括文章的特定內(nèi)容,符合編制題錄、索引和檢索的有關(guān)原則,一般不超過20個字。
Ⅳ、作者身份、職稱、工作單位、通信地址及郵政編碼、電話、傳真、電子信箱等信息。
Ⅴ、注釋:凡對文章篇名、作者及文內(nèi)某一特定內(nèi)容所作的必要的解釋或說明為注釋。用“①、②、③、④……”編號,置于正文之后。
雜志發(fā)文主題分析如下:
主題名稱 | 發(fā)文量 | 相關(guān)發(fā)文學(xué)者 |
電路 | 444 | 林金庭;陳效建;張斌;陳堂勝;彭龍新 |
晶體管 | 403 | 陳堂勝;陳效建;王因生;張樹丹;傅義珠 |
半導(dǎo)體 | 305 | 徐靜平;楊銀堂;朱樟明;沈光地;王志功 |
放大器 | 284 | 陶洪琪;陳堂勝;林金庭;王志功;李拂曉 |
集成電路 | 259 | 林金庭;陳效建;張斌;陳堂勝;彭龍新 |
GAAS | 170 | 林金庭;陳克金;陳堂勝;李拂曉;陳繼義 |
砷化鎵 | 158 | 陳堂勝;蔣幼泉;李拂曉;陳效建;林金庭 |
單片 | 149 | 林金庭;彭龍新;陳堂勝;張斌;陳效建 |
場效應(yīng) | 144 | 徐靜平;陳效建;陳堂勝;薛舫時;湯庭鰲 |
二極管 | 141 | 郭維廉;沈光地;牛萍娟;張世林;柏松 |
雜志往期論文摘錄展示
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