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《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志論文投稿要求是什么?

來源:愛發(fā)表網(wǎng)整理 2025-03-18 16:54:40

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志論文投稿要求:

Ⅰ、引文標(biāo)注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式統(tǒng)一編碼。文獻(xiàn)征引請使用參考文獻(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)格式。

Ⅱ、內(nèi)容摘要為文章主要觀點之提煉,字?jǐn)?shù)一般控制在200——300字為宜;關(guān)鍵詞一般為3至5個(提供英文摘要及關(guān)鍵詞更佳)。

Ⅲ、篇名:篇名應(yīng)簡明、具體、確切,能概括文章的特定內(nèi)容,符合編制題錄、索引和檢索的有關(guān)原則,一般不超過20個字。

Ⅳ、作者身份、職稱、工作單位、通信地址及郵政編碼、電話、傳真、電子信箱等信息。

Ⅴ、注釋:凡對文章篇名、作者及文內(nèi)某一特定內(nèi)容所作的必要的解釋或說明為注釋。用“①、②、③、④……”編號,置于正文之后。

雜志發(fā)文主題分析如下:

主題名稱 發(fā)文量 相關(guān)發(fā)文學(xué)者
電路 444 林金庭;陳效建;張斌;陳堂勝;彭龍新
晶體管 403 陳堂勝;陳效建;王因生;張樹丹;傅義珠
半導(dǎo)體 305 徐靜平;楊銀堂;朱樟明;沈光地;王志功
放大器 284 陶洪琪;陳堂勝;林金庭;王志功;李拂曉
集成電路 259 林金庭;陳效建;張斌;陳堂勝;彭龍新
GAAS 170 林金庭;陳克金;陳堂勝;李拂曉;陳繼義
砷化鎵 158 陳堂勝;蔣幼泉;李拂曉;陳效建;林金庭
單片 149 林金庭;彭龍新;陳堂勝;張斌;陳效建
場效應(yīng) 144 徐靜平;陳效建;陳堂勝;薛舫時;湯庭鰲
二極管 141 郭維廉;沈光地;牛萍娟;張世林;柏松

雜志往期論文摘錄展示

基于45 nm SOI工藝的超寬帶毫米波單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計

基于徑向貼片和U形槽的新型雙陷波超寬帶天線

基于六角T型諧振器的小型化低通濾波器的設(shè)計

射頻功率放大器互連可靠性的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模研究

星載微波固態(tài)大功率組件預(yù)防微放電效應(yīng)工藝研究

基于光子晶體波導(dǎo)和腔耦合的光單向傳輸結(jié)構(gòu)

高電容密度硅基MIS芯片電容

一種具有良好溫度穩(wěn)定性的低功耗CMOS振蕩器

光刻膠流淌實現(xiàn)深亞微米柵工藝

毫米波15WGaAs單片大功率PIN限幅器

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