《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》的版面費(fèi)計(jì)算方法如下：
1.按版面計(jì)算：具體版面計(jì)算方式可聯(lián)系雜志社或咨詢在線客服。如果文章超出定義范圍則需要多支付一版面的費(fèi)用。
2.按字?jǐn)?shù)計(jì)算：有些期刊會(huì)根據(jù)論文的字?jǐn)?shù)來計(jì)算版面費(fèi)，例如每千字收取一定費(fèi)用。
3.額外費(fèi)用：如果文章需要彩色印刷（如圖表、圖片），可能會(huì)額外收取費(fèi)用。
4.期刊級(jí)別和收錄數(shù)據(jù)庫(kù)：期刊的級(jí)別和被不同數(shù)據(jù)庫(kù)收錄的情況也會(huì)影響版面費(fèi)。例如，知網(wǎng)收錄的期刊版面費(fèi)通常較高。
5.期刊政策與優(yōu)惠：部分期刊可能對(duì)特定群體（如學(xué)生、學(xué)者等）提供版面費(fèi)優(yōu)惠。
6.開放獲取：開放獲取期刊通常按文章收取費(fèi)用，費(fèi)用較高，涵蓋同行評(píng)審、編輯、出版和在線傳播等成本。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志的版面費(fèi)計(jì)算方式相對(duì)明確，主要依據(jù)文章所占據(jù)的版面數(shù)量進(jìn)行收費(fèi)。作者在投稿前，應(yīng)仔細(xì)核對(duì)文章字?jǐn)?shù)，并根據(jù)期刊的收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)合理預(yù)算版面費(fèi)。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志創(chuàng)刊于1981年，是一本由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管、主辦的學(xué)術(shù)性期刊。該雜志為雙月刊，審稿周期為預(yù)計(jì)1-3個(gè)月，國(guó)內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào)為32-1110/TN，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)刊號(hào)為1000-3819。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志的主要欄目包括： 三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡(jiǎn)訊，該雜志注重學(xué)術(shù)性與實(shí)踐性結(jié)合，鼓勵(lì)創(chuàng)新性研究，尤其歡迎具有理論深度或?qū)嵶C價(jià)值的論文。其刊載文章多涉及電子政策分析、電子技術(shù)應(yīng)用等熱點(diǎn)議題，為電子工作者提供前沿的學(xué)術(shù)參考。
該雜志在學(xué)術(shù)界具有較高影響力，曾多次入選
，并被統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)、國(guó)家圖書館館藏、上海圖書館館藏收錄，這意味著論文能夠被更廣泛的學(xué)術(shù)群體檢索和引用，有助于提升研究成果的傳播范圍和學(xué)術(shù)影響力。
根據(jù)最新數(shù)據(jù)，其影響因子：0.29，表明該雜志在電子研究領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)認(rèn)可度。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志須知（審稿周期：預(yù)計(jì)1-3個(gè)月）
Ⅰ、引文標(biāo)注采用文后注形式，采用[1][2][3]……的形式統(tǒng)一編碼。文獻(xiàn)征引請(qǐng)使用參考文獻(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)格式。
Ⅱ、內(nèi)容摘要為文章主要觀點(diǎn)之提煉，字?jǐn)?shù)一般控制在200——300字為宜；關(guān)鍵詞一般為3至5個(gè)（提供英文摘要及關(guān)鍵詞更佳）。
Ⅲ、篇名：篇名應(yīng)簡(jiǎn)明、具體、確切，能概括文章的特定內(nèi)容，符合編制題錄、索引和檢索的有關(guān)原則，一般不超過20個(gè)字。
Ⅳ、作者身份、職稱、工作單位、通信地址及郵政編碼、電話、傳真、電子信箱等信息。
Ⅴ、注釋：凡對(duì)文章篇名、作者及文內(nèi)某一特定內(nèi)容所作的必要的解釋或說明為注釋。用“①、②、③、④……”編號(hào)，置于正文之后。
| 學(xué)者姓名 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 陳堂勝 | 127 | 高電子遷移率晶體管；氮化鎵；GAN；砷化鎵；GAA... |
| 林金庭 | 61 | GAAS；MMIC；砷化鎵；單片；微波單片集成電路 |
| 陳效建 | 60 | MMIC；砷化鎵；PHEMT；功率放大器；GAAS |
| 薛舫時(shí) | 52 | HFET；GAN；電流崩塌；勢(shì)壘；溝道 |
| 洪志良 | 50 | CMOS；低功耗；跨導(dǎo)；電路；鎖相環(huán) |
| 李忠輝 | 48 | 氮化鎵；GAN；MOCVD；二維電子氣；高電子遷移率... |
| 李拂曉 | 45 | 砷化鎵；GAAS；單片；開關(guān)；MESFET |
| 魏同立 | 41 | 半導(dǎo)體器件；硅；雙極晶體管；集成電路；CMOS |
| 孔月嬋 | 40 | 金剛石；襯底；二維電子氣；氮化鎵晶體管；鍵合 |
| 張斌 | 40 | 微波單片集成電路；MMIC；功率MMIC；氮化鎵；功... |
| 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管；電路；放大器；單片；GAAS |
| 東南大學(xué) | 317 | 電路；半導(dǎo)體；放大器；晶體管；集... |
| 復(fù)旦大學(xué) | 231 | 電路；功耗；集成電路；低功耗；半... |
| 中國(guó)科學(xué)院 | 148 | 晶體管；半導(dǎo)體；分子束；分子束外... |
| 西安電子科技大學(xué) | 116 | 半導(dǎo)體；電路；金屬氧化物半導(dǎo)體；... |
| 浙江大學(xué) | 77 | 電路；半導(dǎo)體；芯片；金屬氧化物半... |
| 清華大學(xué) | 70 | 電路；集成電路；計(jì)算機(jī)；半導(dǎo)體；... |
| 天津大學(xué) | 69 | 隧穿；電路；晶體管；共振隧穿；負(fù)... |
| 南京大學(xué) | 68 | 發(fā)光；半導(dǎo)體；納米；氮化鎵；GAN |
| 中國(guó)科學(xué)院微電子研究... | 68 | 電路；低噪；低噪聲；晶體管；CMOS |
| 涉及文獻(xiàn) | 資助項(xiàng)目 |
| 823 | 國(guó)家自然科學(xué)基金 |
| 147 | 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃 |
| 113 | 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃 |
| 68 | 江蘇省自然科學(xué)基金 |
| 50 | 中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 |
| 47 | 國(guó)家科技重大專項(xiàng) |
| 44 | 國(guó)家教育部博士點(diǎn)基金 |
| 26 | 福建省自然科學(xué)基金 |
| 24 | 國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金 |
| 24 | 河北省自然科學(xué)基金 |
| 涉及文獻(xiàn) | 資助課題 |
| 8 | 江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項(xiàng)目(DZXX-053) |
| 8 | 國(guó)家自然科學(xué)基金(60371029) |
| 8 | 國(guó)家自然科學(xué)基金(60506012) |
| 8 | 國(guó)家自然科學(xué)基金(60776016) |
| 8 | 中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(JUSRP51323B) |
| 7 | 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2009AA011605) |
| 7 | 北京市人才強(qiáng)教計(jì)劃項(xiàng)目(05002015200504) |
| 7 | 國(guó)家自然科學(xué)基金(69736020) |
| 7 | 國(guó)家自然科學(xué)基金(61106130) |
| 6 | 國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(9140C1402021102) |
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