Journal of Semiconductors雜志簡介

《Journal of Semiconductors》于1980年創(chuàng)辦，全刊信息多卻有條有理，堅持打造交流思想和經驗共享的主流平臺，國內刊號為：11-5781/TN，創(chuàng)刊多年來受到許多讀者的支持和喜愛。

《Journal of Semiconductors》是國內最早的半導體領域學術期刊之一，旨在推動半導體科技和應用的研究，為學術界和工業(yè)界提供一個交流和分享半導體領域最新科研成果和技術進展的平臺。涵蓋了廣泛的半導體領域，包括材料與器件、工藝與制造、物理與特性等方面的研究。發(fā)布的論文涉及晶體生長、材料表征、器件設計、制備工藝、性能測試等各個環(huán)節(jié)，同時也關注半導體應用領域的新技術和應用案例。它在國內外半導體領域享有較高的聲譽和影響力，被廣大研究人員和工程師廣泛引用，目標是成為一個推動半導體科技創(chuàng)新、促進學術交流和推動產業(yè)發(fā)展的重要平臺。

《Journal of Semiconductors》通過嚴格的同行評議制度和學術委員會的管理，確保論文質量和學術水平，為廣大研究人員和工程師提供高質量的研究成果和應用案例。

Journal of Semiconductors期刊須知 （審稿周期：預計1-3個月）

Ⅰ、稿件參照規(guī)范學術論文格式與體例。文中標題一般不超過三級，如依次為“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋體、小四、1.5 倍行距進行排版。

Ⅱ、范圍：半導體材料和器件的研究與應用，包括但不限于半導體材料生長、制備與表征，半導體器件物理與模擬，半導體工藝與技術，半導體應用與系統(tǒng)等方面。

Ⅲ、中文題名一般不允許超過20個漢字，必要時可以加副標題。要求有作者署名，工作單位全稱及其所在?。ㄖ陛犑小⒆灾螀^(qū)）、市、縣，郵政編碼等信息。

Ⅳ、間接引文通常以“參見”或“詳見”等引領詞引導，反映出與正文行文的呼應，標注時應注出具體參考引證的起止頁碼或章節(jié)。標注項目、順序與格式同直接引文。

Ⅴ、凡可文字表述清楚的內容，盡量不用圖、表，文字、圖、表三者內容不得重復。表格一律采用“三線表”格式，必要時可添加輔助線。

VI、摘要的內容包括研究目的、內容、主要方法、結果和結論等（300字左右）：摘要應盡量寫成報道性文摘且具有獨立性，采用第三人稱寫法，一般不用數(shù)學公式和化學結構，不出現(xiàn)插圖、表格，不用引文；中、英文摘要內容一致。

VII、稿件注釋著作類包括作者、著作名稱、出版社、出版時間、頁碼；古文獻可在作者前加時代；譯著可在作者前加國別；論文類包括作者、論文名稱、期刊號。來稿請一律采用尾注形式。

VIII、來稿要求包含論文的中英文題目、中英文摘要、中英文關鍵詞，中英文作者姓名和中英文署名單位以及文章的中圖分類號、文獻標志碼。

IX、論文所涉及的課題如取得國家或部、省級以上基金或攻關項目資助，應腳注于文題頁左下方，如“基金項目：××基金資助項目（基金編號××××）”，并附證書復印件。

X、有參考文獻，專著的格式為：主要責任者.題名[文獻類型標志].出版地：出版者，出版年：引文頁碼，文獻的格式為主要責任者.文獻題名[文獻類型標志].連續(xù)出版物題名，年，卷（期）：頁碼。

Journal of Semiconductors歷史收錄

• 北大核心期刊（2008版）
• 北大核心期刊（2004版）
• 北大核心期刊（2000版）
• 北大核心期刊（1996版）
• 北大核心期刊（1992版）
• 中國科技核心期刊
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2023-2024）
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2021-2022）
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2019-2020）
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2017-2018）
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2015-2016）
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2013-2014）
• 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-核心（2011-2012）
• Web of Science數(shù)據(jù)庫
• Scopus數(shù)據(jù)庫
• 日本科學技術振興機構數(shù)據(jù)庫
• 科學文摘數(shù)據(jù)庫
• 工程索引
• EBSCO學術數(shù)據(jù)庫
• 中國科技期刊卓越行動計劃
• 化學文摘（網(wǎng)絡版）