《Journal of Semiconductors》的版面費(fèi)計算方法如下：

1.按版面計算：具體版面計算方式可聯(lián)系雜志社或咨詢在線客服。如果文章超出定義范圍則需要多支付一版面的費(fèi)用。

2.按字?jǐn)?shù)計算：有些期刊會根據(jù)論文的字?jǐn)?shù)來計算版面費(fèi)，例如每千字收取一定費(fèi)用。

3.額外費(fèi)用：如果文章需要彩色印刷（如圖表、圖片），可能會額外收取費(fèi)用。

4.期刊級別和收錄數(shù)據(jù)庫：期刊的級別和被不同數(shù)據(jù)庫收錄的情況也會影響版面費(fèi)。例如，知網(wǎng)收錄的期刊版面費(fèi)通常較高。

5.期刊政策與優(yōu)惠：部分期刊可能對特定群體（如學(xué)生、學(xué)者等）提供版面費(fèi)優(yōu)惠。

6.開放獲?。洪_放獲取期刊通常按文章收取費(fèi)用，費(fèi)用較高，涵蓋同行評審、編輯、出版和在線傳播等成本。

《Journal of Semiconductors》雜志的版面費(fèi)計算方式相對明確，主要依據(jù)文章所占據(jù)的版面數(shù)量進(jìn)行收費(fèi)。作者在投稿前，應(yīng)仔細(xì)核對文章字?jǐn)?shù)，并根據(jù)期刊的收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)合理預(yù)算版面費(fèi)。

《Journal of Semiconductors》雜志創(chuàng)刊于1980年，是一本由中國科學(xué)院主管、主辦的學(xué)術(shù)性期刊。該雜志為月刊，審稿周期為預(yù)計1-3個月，國內(nèi)統(tǒng)一刊號為11-5781/TN，國際標(biāo)準(zhǔn)刊號為1674-4926。

《Journal of Semiconductors》雜志的主要欄目包括： 研究論文、研究快報、研究簡報、技術(shù)進(jìn)展，該雜志注重學(xué)術(shù)性與實踐性結(jié)合，鼓勵創(chuàng)新性研究，尤其歡迎具有理論深度或?qū)嵶C價值的論文。其刊載文章多涉及電力政策分析、電力技術(shù)應(yīng)用等熱點(diǎn)議題，為電力工作者提供前沿的學(xué)術(shù)參考。

該雜志在學(xué)術(shù)界具有較高影響力，曾多次入選

• 北大核心期刊（2008版）
• 北大核心期刊（2004版）
• 北大核心期刊（2000版）
• 北大核心期刊（1996版）
• 北大核心期刊（1992版）
• 中國科技核心期刊
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2023-2024）
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2021-2022）
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2019-2020）
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2017-2018）
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2015-2016）
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2013-2014）
• 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2011-2012）
• Web of Science數(shù)據(jù)庫
• Scopus數(shù)據(jù)庫
• 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫
• 科學(xué)文摘數(shù)據(jù)庫
• 工程索引
• EBSCO學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫
• 中國科技期刊卓越行動計劃
• 化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）

，并被CSCD 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊(含擴(kuò)展版)、統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、EI 工程索引(美)、CA 化學(xué)文摘(美)、SA 科學(xué)文摘(英)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、Pж(AJ) 文摘雜志(俄)、劍橋科學(xué)文摘、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏、文摘與引文數(shù)據(jù)庫、文摘雜志收錄，這意味著論文能夠被更廣泛的學(xué)術(shù)群體檢索和引用，有助于提升研究成果的傳播范圍和學(xué)術(shù)影響力。

根據(jù)最新數(shù)據(jù)，其影響因子：0.36，表明該雜志在電力研究領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)認(rèn)可度。

《Journal of Semiconductors》雜志須知（審稿周期：預(yù)計1-3個月）

Ⅰ、稿件參照規(guī)范學(xué)術(shù)論文格式與體例。文中標(biāo)題一般不超過三級，如依次為“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋體、小四、1.5 倍行距進(jìn)行排版。

Ⅱ、范圍：半導(dǎo)體材料和器件的研究與應(yīng)用，包括但不限于半導(dǎo)體材料生長、制備與表征，半導(dǎo)體器件物理與模擬，半導(dǎo)體工藝與技術(shù)，半導(dǎo)體應(yīng)用與系統(tǒng)等方面。

Ⅲ、中文題名一般不允許超過20個漢字，必要時可以加副標(biāo)題。要求有作者署名，工作單位全稱及其所在?。ㄖ陛犑小⒆灾螀^(qū)）、市、縣，郵政編碼等信息。

Ⅳ、間接引文通常以“參見”或“詳見”等引領(lǐng)詞引導(dǎo)，反映出與正文行文的呼應(yīng)，標(biāo)注時應(yīng)注出具體參考引證的起止頁碼或章節(jié)。標(biāo)注項目、順序與格式同直接引文。

Ⅴ、凡可文字表述清楚的內(nèi)容，盡量不用圖、表，文字、圖、表三者內(nèi)容不得重復(fù)。表格一律采用“三線表”格式，必要時可添加輔助線。

VI、摘要的內(nèi)容包括研究目的、內(nèi)容、主要方法、結(jié)果和結(jié)論等（300字左右）：摘要應(yīng)盡量寫成報道性文摘且具有獨(dú)立性，采用第三人稱寫法，一般不用數(shù)學(xué)公式和化學(xué)結(jié)構(gòu)，不出現(xiàn)插圖、表格，不用引文；中、英文摘要內(nèi)容一致。

VII、稿件注釋著作類包括作者、著作名稱、出版社、出版時間、頁碼；古文獻(xiàn)可在作者前加時代；譯著可在作者前加國別；論文類包括作者、論文名稱、期刊號。來稿請一律采用尾注形式。

VIII、來稿要求包含論文的中英文題目、中英文摘要、中英文關(guān)鍵詞，中英文作者姓名和中英文署名單位以及文章的中圖分類號、文獻(xiàn)標(biāo)志碼。

IX、論文所涉及的課題如取得國家或部、省級以上基金或攻關(guān)項目資助，應(yīng)腳注于文題頁左下方，如“基金項目：××基金資助項目（基金編號××××）”，并附證書復(fù)印件。

X、有參考文獻(xiàn)，專著的格式為：主要責(zé)任者.題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)志].出版地：出版者，出版年：引文頁碼，文獻(xiàn)的格式為主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)志].連續(xù)出版物題名，年，卷（期）：頁碼。