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《Journal of Semiconductors》雜志論文投稿要求是什么?

來源:愛發(fā)表網(wǎng)整理 2025-03-18 16:58:54

《Journal of Semiconductors》雜志論文投稿要求:

Ⅰ、稿件參照規(guī)范學(xué)術(shù)論文格式與體例。文中標(biāo)題一般不超過三級,如依次為“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋體、小四、1.5 倍行距進(jìn)行排版。

Ⅱ、范圍:半導(dǎo)體材料和器件的研究與應(yīng)用,包括但不限于半導(dǎo)體材料生長、制備與表征,半導(dǎo)體器件物理與模擬,半導(dǎo)體工藝與技術(shù),半導(dǎo)體應(yīng)用與系統(tǒng)等方面。

Ⅲ、中文題名一般不允許超過20個(gè)漢字,必要時(shí)可以加副標(biāo)題。要求有作者署名,工作單位全稱及其所在?。ㄖ陛犑?、自治區(qū))、市、縣,郵政編碼等信息。

Ⅳ、間接引文通常以“參見”或“詳見”等引領(lǐng)詞引導(dǎo),反映出與正文行文的呼應(yīng),標(biāo)注時(shí)應(yīng)注出具體參考引證的起止頁碼或章節(jié)。標(biāo)注項(xiàng)目、順序與格式同直接引文。

Ⅴ、凡可文字表述清楚的內(nèi)容,盡量不用圖、表,文字、圖、表三者內(nèi)容不得重復(fù)。表格一律采用“三線表”格式,必要時(shí)可添加輔助線。

VI、摘要的內(nèi)容包括研究目的、內(nèi)容、主要方法、結(jié)果和結(jié)論等(300字左右):摘要應(yīng)盡量寫成報(bào)道性文摘且具有獨(dú)立性,采用第三人稱寫法,一般不用數(shù)學(xué)公式和化學(xué)結(jié)構(gòu),不出現(xiàn)插圖、表格,不用引文;中、英文摘要內(nèi)容一致。

VII、稿件注釋著作類包括作者、著作名稱、出版社、出版時(shí)間、頁碼;古文獻(xiàn)可在作者前加時(shí)代;譯著可在作者前加國別;論文類包括作者、論文名稱、期刊號。來稿請一律采用尾注形式。

VIII、來稿要求包含論文的中英文題目、中英文摘要、中英文關(guān)鍵詞,中英文作者姓名和中英文署名單位以及文章的中圖分類號、文獻(xiàn)標(biāo)志碼。

IX、論文所涉及的課題如取得國家或部、省級以上基金或攻關(guān)項(xiàng)目資助,應(yīng)腳注于文題頁左下方,如“基金項(xiàng)目:××基金資助項(xiàng)目(基金編號××××)”,并附證書復(fù)印件。

X、有參考文獻(xiàn),專著的格式為:主要責(zé)任者.題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)志].出版地:出版者,出版年:引文頁碼,文獻(xiàn)的格式為主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)志].連續(xù)出版物題名,年,卷(期):頁碼。

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